固定式線圈繞組用於在定子周圍的兩個或更多個位置上，動態產生磁場。 只要知道物理系統內全部的電流密度分佈（或者所有的電荷的位置和速度），理論上就可以計算出磁矩。 又，在目前的說明，援用已引用的關於曝光裝置等的所有公報、國際公開、美國專利申請公開說明書及每國專利說明書的揭露，來做為本說明書記載的一部分。 曝光裝置的用途不限於半導體製造用的曝光裝置，例如，將液晶顯示元件圖案轉寫於方形的玻璃板的液晶用曝光裝置，或用以製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微機械及DNA晶片等的曝光裝置都可廣泛適用。 又，不只是半導體元件等的微裝置，以光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置、及電子束曝光裝置等，為了製造上述裝置使用的標線片或光罩，轉寫電路圖案至玻璃基板或矽晶圓等的曝光裝置可適用於上述各實施形態。 此外，將固定或形成於一面的透明板的另一面，接觸或接近配置於晶圓支架的內面，且其透明板的一面側設有保護部材(蓋玻璃)，或者是，也可以不設有保護部材(蓋玻璃)，將固定或形成光柵RG的透明板的一面，接觸或接近配置於晶圓支架的內面。
然後，主控制裝置20，用初級對準系統AL1來檢測計測板FM1上的第二基準記號。 勞侖茲力2023 勞侖茲力2023 又，第二基準記號的檢測前，在晶圓台WST1位於第一負載位置的狀態下，主控制裝置20，執行微動台位置計測系統70的第二計測頭群73，也就是編碼器55、56、57(及面位置計測系統58)的重設(原點的再設定)。 勞侖茲力 其後，主控制裝置20，管理晶圓台WST1的位置，並對微動台WFS1上的晶圓W，進行用與前述同樣的對準系統AL1、AL21～AL24的晶圓對準。
勞侖茲力: 物理
在定盤14B'如第三十圖所示，平行於對向於基盤12'的凹部12c的Y軸方向延伸的凹部14C，被形成於其底面。 又，雖然圖未顯示，但在定盤14A'，對向於凹部12c形成有凹部14c。 接下來，因為進行曝光裝置100的晶圓台WST1、WST2等的維持，所以說明關於將晶圓台WST1、WST2等搬出至曝光裝置100的外部(收容曝光裝置本體的室的外部)時的步驟。 如第三圖所示，管Ta1、Tb1的一端連接於設置在外部且圖未顯示的效用力供給裝置(例如電源、儲氣槽、壓縮機或真空泵等)另一端連接於各管運送器TCa、TCb。 從效用力供給裝置藉由管Ta1，供給至管運送器TCa的效用力，藉由管Ta2、收容於粗動台WCS1的連結部材92a的圖未顯示的配管部材、配線部材，以及管86a、86b而供給至微動台WFS1。
又，Z頭若被配置於不屬同一直線上的三處，也不限於該配置，例如可在一個頭單元配置有三個Z頭。 又，計測條71的面位置資訊可以例如包含光干涉計的光干涉計系統來計測。 這種狀況，將從光干涉計照射的計測光束，用以遮斷周圍大氣，例如空氣的管(搖動防止管)固定於支持部材74a、74b。 勞侖茲力 又，X、Y、Z的各編碼頭的個數並不限定於上述物，例如也可以將個數增加來選擇地使用。 由此，因為第一計測部材從該移動體下方將計測光束照射至平行於位於曝光處理部的移動體的二維平面的計測面，所以可抑制移動體周邊大氣的搖動等影響，以計測系統，來高精確度地求得位於曝光處理部的移動體的位置資訊(可以高精確度計測)。 然後，因計測系統的計測資訊，也就是說用(根據)高精確度地計測的移動體位置資訊，來驅動移動體。
勞侖茲力: 磁場
不只是磁鐵具有磁矩，載流迴路、電子、分子或行星等等，都具有磁矩。 又，在上述各實施形態，光柵RG可以以保護部材，例如蓋玻璃所覆蓋而保護著。 蓋玻璃可設為覆蓋本體部80的下面的幾乎整面，也可以設為覆蓋包含光柵RG的本體部的下面的一部分。 又，由於保護光柵RG需要足夠的厚度，板狀保護部材為較佳，也可以對應素材用薄膜狀的保護部材。 定盤14A、14B如第十八圖所示，藉由圖未顯示的空氣軸承(或回轉軸承)被支持於基盤12的凹部12c的兩側部分的上面12d。
- 傳統上 AC 馬達應用廣泛，因為成本相對較低，而且動作的準確度不是優先考量。
- 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述第二支持部材，在前述長方向的兩端部懸掛於前述第一支持部材的狀態下被固定。
- 又，粗動台WCS1、WCS2的驅動方向並不限於6自由度方向，也可以只是XY平面內的3自由度方向(X、Y、θz)。
- 藉由晶圓台WST2的驅動力的反作用力的作用，定盤14B以配衡質量來運作。
- 又，一者的晶圓台上的晶圓對準時的其晶圓台的驅動力的反作用力就算作用在定盤14A'，其反作用力，也不會影響到定盤14B'及另一者的晶圓台。
- 在第一狀態下，浮動接觸防止部材35接觸基盤12A或12B的上面(以下稱該狀態為「著地狀態」)，柱部材33未接觸定盤14A或14B的下面(以下稱該狀態為「上升狀態」)。
線圈總成22係在未顯示出之液體源的沿運動方向之下游，且上述繞組係彼此平行配置且與液體噴流10同軸。 智慧型手機等行動裝置整合眾多感應器以偵測動作，這種作法是有理由的。 沿著 x、y 和 z 軸正交配置的加速儀群組雖然一開始設計並非用於此目的，但卻能偵測旋轉，以及沿著線性路徑的動作。 一種裝置製造方法，包含：用申請專利範圍第1~107項中任一項所述之曝光裝置或申請專利範圍第108項或109項所述之曝光方法將 物體曝光；以及將前述被曝光的物體顯像。
勞侖茲力: 勞侖茲力方程式的協變形式
計測條71如第三圖與第三圖所示，被配置於一對定盤14A、14B的第一部分14A1、14B1的下方。 如第三圖與第三圖所示，計測條71是由例如將Y軸方向做為長方向的剖面矩形的樑狀部材所組成。 在計測條71的內部(底部)配置有包含複數個磁石的磁石單元79。
在此，接近包含成為上述並列狀態的兩個部材間的間距(間隙)為零的狀況，也就是說還包含兩者接觸的狀況。 勞侖茲力 又，各頭單元50a、50b具有例如相同於光碟機裝置等所採用的光學讀取頭的光學式移位感應器的Z頭(圖示省略)。 具體來說，頭單元50a具有在X軸方向以間隔分離來配置的兩個Z頭，頭單元50b具有一個Z頭。 主控制裝置20根據三個Z頭的計測值，算出將主框架BD(的計測基準面)做為基準的計測條71的Z軸方向位置，及θx、θy方向的回轉量。
勞侖茲力: 勞侖茲力
又，上述實施形態中，晶圓台WST1、WST2的移動時的導面，是以兩個定盤14A、14B的上面來形成，但也不限於此。 例如可以將至少一第一部分及第二部分在XY平面內以特定方向移動，藉由分界線，以可將第一部分與第二部分分離的定盤的上面，來形成晶圓台WST1、WST2的移動時的導面。 這種狀況，將其定盤以間隔分離於第一部分及第二部分後，使至少一第一及第二部分相對於計測條71在Z軸方向相對移動，在Z軸方向從計測條71以間隔分離。 然後，該離開間隔後，藉由使至少一第一及第二部分在X平面內以特定方向移動，可將定盤的第一及第二部分拉出至外部。 勞侖茲力2023 以此，例如定盤及搭載於該定盤的構成部分等的維持等會變得容易。
在粗動台WCS1的連結部材92a與微動台WFS1的本體部80之間，如第五圖所示，架設有一對的管86a、86b，用以將從外部供給至連結部材92a的效用力傳達至微動台WFS1。 又，包含第五圖，雖然在各圖式省略圖示，但實際上是一對的管86a、86b分別以複數個管所構成。 各管86a、86b的一端連接於連結部材92a的+X側的側面，另一端各藉由一對凹部80a(參照第五圖)，連接於本體部80的內部，凹部80a具有於本體部80上面從-X側的端面以+X方向以特定長度形成特定深度。
勞侖茲力: 我們最近與一些頂級供應商合作，討論當前工程行業的發展趨勢。
交流頻率可依據進一步方法參數、特別地根據待霧化之液體噴流材料及/或待生成之微粒或微滴的大小而被調整或調整。 在一具體實施例中，高頻行進電磁場可具有一交流頻率，交流頻率為至少0.1百萬赫茲、較佳地至少1百萬赫茲、更佳地至少10百萬赫茲、又更佳地至少100百萬赫茲。 交流頻率可依據進一步方法參數、特別地根據待霧化之液體噴流的材料及/或待生成之微粒或微滴的大小而調整。
氣體可處於高壓力，譬如介於0帕斯卡與10百萬帕斯卡之間、較佳地介於0.1百萬帕斯卡與5百萬帕斯卡之間。 除了高頻行進電磁場之外，上述氣流可與高頻行進電磁場聯合，以疊加加速度形式衝擊液體噴流。 勞侖茲力 氣流可與線圈總成同時、時間及/或空間在線圈總成之前、及/或時間及/或空間在線圈總成之後，加速液體噴流。
勞侖茲力: 勞侖茲力定律的重要意義
又，拍攝區域與拍攝區域合成的步進與往復式的縮小投影曝光裝置可以適用於上述各實施形態。 又，也可以構成微動台位置計測系統，在晶圓台的移動範圍全區能對其位置計測。 又，上述各實施形態中，計測條71也可以設有溫度感應器、壓力感應器、振動計測用的加速度感應器等。 又，也可以設有測定計測條的變形(扭曲等)的歪曲感應器或變位感應器等。
- VCA 已成為小型機電系統的首選馬達，例如智慧型手機攝影機鏡頭的對焦機制。
- 如請求項1或請求項2之方法，其中該等高頻行進電磁場係藉由一線圈總成生成，該線圈總成具有至少一個極對(24A、24B、24C)、較佳地具有至少二個極對(24A、24B、24C)、更佳地具有至少三個極對(24A、24B、24C)。
- 又，將從三個Z頭76a～76c被照射的計測光束的光柵RG上的三個照射點做為頂點的等腰三角形(或正三角形)的重心，是一致於晶圓W上的曝光區域IA(參照第一圖)的中心的曝光位置。
- 因此，以下將代表地採用晶圓台WST1來說明，關於晶圓台WST2則僅在需要狀況下才會特別說明。
- 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述第一計測部材的實質計測中心，是一致於曝光位置，曝光位置是被照射至前述物體的前述能量光束的照射區域的中心。
- 又，設有浮動部材19，替代做為將基盤12A、定盤14等往例如X方向移動的結構，也可以做為設有接觸型的轉動機構等的結構。
如申請專利範圍第44項所述之曝光裝置，其中前述計測系統在至少不在同一直線上的三處求得前述第一、第二移動體的垂直於前述二維平面的方向的位置資訊。 如申請專利範圍第28項所述之曝光裝置，其中前述計測系統可更求得前述第一、第二移動體的垂直於前述二維平面的方向的位置資訊。 各X頭75x、Y頭75ya、75yb在晶圓台WST1(或WST2)位於投影光學系統PL的正下方時，藉由形成於定盤14B'的光透過部(例如開口)141，將計測光束照射至配置在微動台WFS1(或WFS2)下面的光柵RG。 勞侖茲力 再者，各X頭75x、Y頭75ya、75yb，以接受來自光柵RG的繞射光，求得微動台WFS1(或WFS2)的XY平面內的位置資訊(也包含θz方向的回轉資訊)。 也就是說，以X頭75x，構成X線性編碼器51(參照第三十二圖)，以一對Y頭75ya、75yb，構成一對Y線性編碼器52、53(參照第三十二圖)。 各X頭75x、Y頭75ya、75yb的計測值，被供給至主控制裝置20(參照第三十二圖)。
勞侖茲力: TWI536111B - 曝光裝置、曝光方法及裝置製造方法
線圈總成可被控制，使得高頻行進電磁場在第一方向上行進、即大致在第一方向上運動。 在現場導向的控制中，馬達磁場的數學模型每秒更新數次，提供對於馬達內電壓、轉速和扭矩之間的關係估算。 閉迴路控制演算法會動態調整對於馬達內每一繞組施加的電壓和電流位準，不僅將扭矩最大化，也將轉子移動到特定位置。
在較近期的年代中（~ 1948年 年），所出現的成就之一是將勞侖茲協變性與規範不變性等概念巧妙地運用，在量子電動力學中迴避了這些困難，而允許對於非常小的輻射效應做出計算，達到極高的精準度，並與實驗結果相符。 Μ0 （页面存档备份，存于互联网档案馆）和ε0 （页面存档备份，存于互联网档案馆）是真空磁导率和真空电容率，c （页面存档备份，存于互联网档案馆）是真空中的光速，q是电荷量。 根據拉莫爾方程式，一加速電荷放出輻射，而輻射會將動量自電荷帶走。 阿布拉罕-勞侖茲力即為因於輻射釋放而施加在一加速電荷上的平均力。 採用國際單位制，假設檢驗電流為1安培，作用於載流導線的單位長度的勞侖茲力為1牛頓/公尺，則檢驗電流感受到的磁場為1特斯拉。
勞侖茲力: 平面迴圈
主控制裝置20，用一對Y線性編碼器52、53的各計測值，來計測(算出)微動台WFS1(或WFS2)的θz方向的位置(繞Z軸的回轉量)。 主控制裝置20，藉由用X線性編碼器51及一對Y線性編碼器52、53，可在經常曝光位置的正下方(內側)進行微動台WFS1(或WFS2)的XY平面內的位置資訊(包含θz方向的回轉量資訊)的計測。 又，構成各定盤驅動系統60A、60B的平面馬達的線圈單元與磁石單元的配置，也可以相反(基盤側具有磁石單元、定盤側具有線圈單元的移動線圈式)於上述(移動磁式)的狀況。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
又，所採用光柵RG的種類不只是機械地形成有溝等物，也可以用例如感光性樹脂加熱做成干涉條紋。 本體部80的上面中央配置著以真空吸著晶圓W而維持的晶圓支架(圖未顯示)。 在本實施形態，例如在環狀凸部(緣部)內，形成支持晶圓W的複數個支持部(針部材)，用所謂支桿夾具方式的晶圓支架，一面(表面)為晶圓載置面的晶圓支架的另一面(裏面)側設有後述的二維光柵RG等。
勞侖茲力: 物理
例如美國專利第7,023,610號說明書所揭露，從做為真空紫外光的DFB半導體雷射或光纖雷射振盪的紅外線域，或將可見光域的單一波長雷射，以例如添加鉺(或鉺與鐿兩者)的光纖放大器來增幅，就算是用非線形光學結晶，用變換紫外光波長的諧波也可以。 微動台WFS1在X軸方向沿著以X軸方向延設的導引部材94a、94b，可以較其他五自由度方向長的行程移動。 如第五圖與第五圖所示，微動台WFS1具備由平面視角矩形的部材所組成的本體部80，固定於本體部80的+Y側的側面的一對微動滑動部84a、84b，以及固定於本體部80的-Y側的側面的一對微動滑動部84c。 連結部材92a、92b係中空地被形成，其內部收容著用於供給效用力至微動台WFS1的圖未顯示的配管部材、配線部材等。 連結部材92a及/或92b的內部也可以收容各種光學部材(例如空間像計測器、照度不均計測器、照度監測器、波前像差計測器等)。
勞侖茲力: 勞侖茲力定律的重要意義
在此，關於相同或同等於前述的第一、第二實施形態的構成部分，採用相同或類似符號並簡略或省略其說明。 又，主控制裝置20根據一對X線性編碼器的各計測值的差，算出計測條71的θz方向的位置(繞Z軸的回轉量)。 接下來，關於本發明的第三實施形態，根據第二十五～二十六圖來說明。
